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[公開特許出願] ホイスラー合金薄膜およびその製造方法、磁気抵抗効果素子、磁気メモリ

2016-07-25. 特開2016134520号 (Google Patents)

NIMS著者


作成時刻 :2023-07-22 21:45:49 +0900 更新時刻 :2023-07-22 21:45:49 +0900

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