| プロフィール
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和田 芳樹 （ワダ ヨシキ）
物質・材料研究機構 環境・エネルギー材料部門 光・電子材料ユニット 光・電子機能グループ 主幹研究員
メール: WADA.Yoshiki nims.go.jp
電話: 029-860-4373
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| 研究分野 |
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| キーワード |
光機能材料超高速現象インテリジェント材料 |
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研究者紹介冊子版
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| 出版物
2004年以降のNIMS所属における出版物を表示しています。 |
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| 研究論文 |
- N. Pradhan, S. Acharya, K. Ariga, N. S. Karan, D. D. Sarma, Y. Wada, S. Efrima, Y. Golan : “Chemically Programmed Ultrahigh Density Two Dimensional Semiconductor Superlattice Array” J. Am. Chem. Soc. 132[4] (2010) 1212-1213 DOI:10.1021/ja908868b
- J. Kobayashi, H. Sekiwa, M. Miyamoto, I. Sakaguchi, Y. Wada, T. Sekiguchi, Y. Adachi, H. Haneda and N. Ohashi : “Growth of Bulky Single Crystalline Films of (Zn Mg)O Alloy Semiconductors by Liquid Phase Epitaxy” Cryst. Growth Des. 9[2] (2009) 1219-1224 DOI:10.1021/cg801211m
- J. Kobayashi, N. Ohashi, H. Sekiwa, I. Sakaguchi, M. Miyamoto, Y. Wada, Y. Adachi, K. Matsumoto and H. Haneda : “Properties of gallium- and aluminum-doped bulk ZnO obtained from single-crystals grown by liquid phase epitaxy” J. Cryst. Growth 311[19] (2009) 4408-4413 DOI:10.1016/j.jcrysgro.2009.07.037
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| 会議録 |
- Y. Yao, T. Oogaki, K. Matsumoto, I. Sakaguchi, Y. Wada, H. Haneda, T. Sekiguchi, N. Ohashi : “Growth and characterization of isotopic natGa15N by molecular-beam epitaxy” International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2008) PHYSICA STATUS SOLIDI C-CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS 6[S2] (2009) S707-S710
- Y. Yao, T. Oogaki, K. Matsumoto, I. Sakaguchi, Y. Wada, H. Haneda, T. Sekiguchi, N. Ohashi : “Growth and characterization of isotopic natGa15N by molecular-beam epitaxy” Photonics West 2009 Proceedings of SPIE 7216[1] (2009) 72162D-1
- Y. Wada, N. Matsusita, Y. Konno, H. Haneda : “Femtosecond transient absorption study of excitons and mid-gap states in quasi-one-dimensional MX-chain compounds” 第７回凝集体の励起子過程に関する国際会議（excon2006） Physica Status Solidi (C) 3[10] (2006) 3535-3538
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| 口頭発表 |
- 2009/06/16-18 : Y. Yao, T. Oogaki, K. Matsumoto, I. Sakaguchi, Y. Wada, H. Haneda, T. Sekiguchi, N. Ohashi : “Lattice constants of isotopic natGa15N grown on c-plane sapphire by molecular-beam epitaxy” STAC-3
- 2009/05/11-14 : Y. Yao, T. Oogaki, N. Fukata, K. Matsumoto, I. Sakaguchi, Y. Wada, H. Haneda, T. Sekiguchi, N. Ohashi : “Lattice constants of isotopic natGa15N grown on c-plane sapphire by molecular-beam epitaxy” The international conference on nanophotonics 2009
- 2009/03/27-30 : 和田芳樹, 松下信之, 大橋直樹 : “一次元白金錯体における吸収端励起後の緩和課程Ⅱ” 日本物理学会代６４回年次大会
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| 外部参照 |
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NIMS eSciDoc Researcher Portofolio
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KAKEN / NII Researcher Name Resolver
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