| プロフィール
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谷口 尚 （タニグチ タカシ）
物質・材料研究機構 先端的共通技術部門 先端材料プロセスユニット 超高圧グループ グループリーダー
メール: TANIGUCHI.Takashi nims.go.jp
電話: 029-860-4413
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| 研究分野 |
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| キーワード |
High pressure, Crystal growth, Superhard materials |
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研究者紹介冊子版
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| 出版物
2004年以降のNIMS所属における出版物を表示しています。 |
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| 研究論文 |
- O. Tsuda, K. Wada, T. Taniguchi : “Crystallization of hexagonal boron nitride exhibiting excitonic luminescence in the deep ultraviolet region at room temperature via thermal chemical vapor phase deposition” Diam. Relat. Mat. 19[1] (2010) 83-90 DOI:10.1016/j.diamond.2009.11.010
- K. Watanabe and T. Taniguchi : “Jahn-Teller effect on exciton states in hexagonal boron nitride single crystal” Phys. Rev. B 79[19] (2009) 193104-1 DOI:10.1103/PhysRevB.79.193104
- Y. Kubota and T. Taniguchi : “Synthesis of Cubic Boron Nitride Crystals Using Ni–Cr and Ni–Cr–Al Solvents under High Pressure” Jpn. J. Appl. Phys 48[7] (2009) 071004-1 DOI:10.1143/JJAP.48.071004
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| 会議録 |
- F. Kawamura, T. Taniguchi : “Synthesis of cubic-GaN nanoparticles using the Na Flux Method-A novel use for the ultra-high pressure apparatus-” IPRM'10 2010 international conference on indium phosphide and related materials conference Proceedings (2010) 199-202
- M. Imai, M. Akaishi, T. Aoyagi, T. Kimura, T. Taniguchi, Y. Kubota, I. Shirotani : “La content dependence of superconducting critical temperature in filled skutterudite LaxRh4P12” International Conference on Low Temperature Physics Journal of Physics: Conference Series 150[Part 5] (2009) 052076-1
- K. Wada, T. Taniguchi, T. Niiyama, K. Miya, M. Taniguchi : “Far ultraviolet emitter device using hexagonal boron nitride excited with field emitters” 第28回電子材料シンポジウム(EMS28) Extended abstract of the 28th EMS 28 (2009) 235-236
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| 口頭発表 |
- 2009/11/27 : 渡辺賢司, 谷口尚, 新山剛宏, 宮健太, 中村 和仁, 谷口昌照 : “新遠紫外発光材料六方晶窒化ホウ素のデバイス応用” 第330回蛍光体同学会講演会
- 2009/11/18-20 : 渡辺賢司, 谷口尚, 新山剛宏, 宮健太, 谷口昌照 : “六方晶窒化ホウ素を発光層に用いた遠紫外面発光デバイス” 第23回ダイヤモンドシンポジウム
- 2009/11/18-20 : 津田統, 渡辺賢司, 谷口尚 : “低圧CVD法による非金属基板上への深紫外発光性六方晶窒化ホウ素の薄膜堆積” 第23回ダイヤモンドシンポジウム
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| 特許 |
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| 外部参照 |
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