研究者
鈴木 裕

プロフィール
Portrait
鈴木 裕 (スズキ ヒロシ)
物質・材料研究機構   構造材料研究拠点 エネルギー構造材料分野 トライボロジーグループ   主任研究員
メール: SUZUKI.Hiroshinims.go.jp
電話: 029-859-2737
茨城県つくば市千現1-2-1 [交通アクセス]
研究者紹介冊子版
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併任先
構造材料研究拠点 SIP-鍛造ラボ トライボロジーチーム
研究分野
キーワード 機能材料・デバイス 無機工業材料 無機材料・物性
出版物 2004年以降のNIMS所属における出版物を表示しています。
研究論文
  • H SUZUKI, H ARAKI, M TOSA and T NODA : “Electrical conductivity measurement of silicon wire prepared by CVD” Chem. Phys. Lett. 468[4-6] (2009) 211-215 DOI:10.1016/j.cplett.2008.11.090
  • H. Suzuki, H. Araki, M. Tosa and T. Noda : “Formation of Silicon Nanowires by CVD Using Gold Catalysts at Low Temperatures” Mater. Trans. JIM 48[8] (2007) 2202-2206 DOI:10.2320/matertrans.MRA2007059
  • H SUZUKI, H ARAKI, M TOSA and T NODA : “SiC film formation from fluorosilane gas by plasma CVD” J. Cryst. Growth 294[2] (2006) 464-468 DOI:10.1016/j.jcrysgro.2006.07.003
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会議録
  • H. Ohba, H. Suzuki, F. ESAKA, T. TAGUCHI, Y. YAMADA, H. YAMAMOTO, M. SASASE, A. YOKOYAMA : “同位体選択的赤外多光子解離されたフロロシランからの同位体濃縮Si薄膜の作製” 第49回真空に関する連合講演会 JOURNAL OF THE VACUUM SOCIETY OF JAPAN 52[5] (2009) 292-295
  • T. Noda, T. Takeuchi, H. Suzuki, H. Araki, W. Yang : “Induced activity and damage of superconducting materials for a fusion reactor” ISFNT-7 FUSION ENGINEERING AND DESIGN 81[8-14] (2006) 1033-1037
  • H. Suzuki, H. Araki, W. Yang, T. Noda : “Formation of Isotope Controlled SiC Thin Film by Plasma Chemical Vapor Deposition and its Characterization” APF-9 APPLIED SURFACE SCIENCE 241 (2005) 266-269
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口頭発表
  • 2008/10/28-31 : 大場弘則, 鈴木裕, 江坂文孝, 田口富嗣, 山田洋一, 山本博之, 笹瀬雅人, 横山 淳 : “同位体選択的赤外多光子解離されたフロロシランからの同位体濃縮 Si薄膜の作製” 第49回真空に関する連合講演会
  • 2008/06/06 : 笠原章, 荒木弘, 鈴木裕, 後藤真宏, YuriyPIHOSH, 土佐正弘 : “細線材料用引張り破断強度測定装置の開発” 平成20年度日本材料科学会総会ならびに学術講演大会
  • 2007/11/14-16 : 笠原章, 鈴木裕, 荒木弘, 後藤真宏, YuriyPIHOSH, 土佐正弘 : “微小材料引張り破断強度測定装置の開発” 第48回真空に関する連合講演会
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外部参照
ResearcherID.COM (No.H-2585-2011)
研究者