- Address
- 305-0044 茨城県つくば市並木1-1 [アクセス]
研究内容
- Keywords
窒化物光電デバイス
出版物2004年以降のNIMS所属における研究成果や出版物を表示しています。
公開特許出願
- 紫外光検出デバイス及びその製造方法 (2012)
- ダイヤモンド構造体、ダイヤモンド・カンチレバー、およびダイヤモンド構造体の製造方法 (2019)
- 半導体装置、パワーデバイスおよび制御用電子装置 (2020)
所属学会
応用物理学会
ナノアーキテクトニクス材料研究センター
タイトル
窒化物分極場による光電デバイスの開発
キーワード
GaN,分極場,ヘテロ界面,光電,熱管理
概要
GaN、AlNおよびInNなどの窒化物半導体を用いた光・電子デバイスは、エネルギー利用の高度化・効率化を支える重要な技術である。窒化物半導体は誘電体としての特徴も強く示 すと考えられ,実際に強い圧電性や自発分極を示すこと が知られている。本研究は、窒化物ヘテロ界面の圧電分極と歪みを積極的に活用し、ナノスケールのフォノン・キャリアガスの輸送やバンドエンジニアリングを制御し、革新的な光・電・MEMSデバイスを開発する。
新規性・独創性
● 窒化物ヘテロ界面圧電分極場と歪みを積極的に活用
● 多層構造設計により分極場を制御
● 圧電分極によりナノスケールの物性制御により新しい分極場工学分野を開拓
内容
まとめ
分極場によりナノスケールの物性を制御するというコンセプトは、窒化物デバイスの性能を向上させる革新的な提案である。本研究の成果により、エネルギー高効率利用および次世代通信領域への応用が期待されている。
この機能は所内限定です。
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