研究者
大竹 晃浩

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プロフィール
Portrait
大竹 晃浩 (オオタケ アキヒロ)
物質・材料研究機構   機能性材料研究拠点 光機能分野 エピタキシャルナノ構造グループ   主幹研究員
メール: OHTAKE.Akihironims.go.jp
電話: 029-860-4198
茨城県つくば市並木1-1 [交通アクセス]
研究者紹介冊子版
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研究分野
キーワード ナノ材料・ナノバイオサイエンス 薄膜・表面界面物性
出版物 2004年以降のNIMS所属における出版物を表示しています。
研究論文 全情報を表示...
会議録
  • T. Yasuda, N. Miyata, A. Ohtake : “Influence of Initial Surface Reconstruction on the Interface Structure of HfO2/GaAs” 9th International Conference on Atomically Controlled Surfaces APPLIED SURFACE SCIENCE 254[23] (2008) 7565-7568
  • A. Ohtake, N. Koguchi : “Ga-As dimer structure for the GaAs(001)-c(4x4) surface” 22nd European Conference on Surface Science SURFACE SCIENCE (2004) 58-62
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口頭発表
  • 2009/09/08-11 : 大竹晃浩, 三石和貴 : “InAs/Si(111)ヘテロエピタキシーにおける極性制御” 2009年度秋季第70回応用物理学会学術講演会
  • 2009/08/10-14 : T. Mano, T. Kuroda, B. Mcskimming, A. Ohtake, K. Mitsuishi, M. Abbarchi, T. Noda, K. Sakoda : “Droplet epitaxy on GaAs (111)A” SemiconNano2009
  • 2009/07/19-24 : T. Mano, T. Kuroda, B. Mcskimming, A. Ohtake, K. Mitsuishi, T. Noda, K. Sakoda : “Self-assembly of symmetric unstrained GaAs quantum dots without wetting layer by droplet epitaxy” 14th Int. Conf. on Modulated Semiconductor Structures
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特許
  • No. CN102239549A “The method for manufacturing the semiconductor device, semiconductor device and the method for manufacturing the semiconductor substrate and the semiconductor substrate” (2011)
  • No. US20110233689A1 “SEMICONDUCTOR DEVICE, PROCESS FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND PROCESS FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE” (2011)
  • No. KR2011091507A “SEMICONDUCTOR DEVICE, PROCESS FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND PROCESS FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE” (2011)
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外部参照
ResearcherID.COM (No.H-2541-2011)
その他
所属学会 応用物理学会 日本物理学会
研究者