研究者
大澤 健男

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プロフィール
Last Update : 2017/01/24
Portrait
大澤 健男 (オオサワ タケオ)
物質・材料研究機構   機能性材料研究拠点 電気・電子分野 電子セラミックスグループ   主任研究員
メール: OHSAWA.Takeonims.go.jp
電話: 029-860-4806
茨城県つくば市並木1-1 [交通アクセス]
研究者紹介冊子版
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併任先
外部連携部門 NIMS-サンゴバン先端材料研究センター
研究分野
キーワード 酸化物,薄膜,表面,界面
出版物 2004年以降のNIMS所属における出版物を表示しています。
研究論文
  • T. OHSAWA, S. Hirose, N. Ohashi : “Potential barrier formed at domain boundaries in twinned tetragonal BaTiO3 single crystals” Appl. Phys. Lett. 110[1] (2017) 011604-1 DOI:10.1063/1.4972849
  • T. OHSAWA, M. Saito, I. HAMADA, R. Shimizu, K. Iwaya, S. Shiraki, W. Zhongchang, Y. Ikuhara, T. Hitosugi : “A single-atom-thick TiO2 nanomesh on an insulating oxide” ACS Nano 9[9] (2015) 8766-8772 DOI:10.1021/acsnano.5b02867
  • T. OHSAWA, S. Ueda, M. Suzuki, Y. Tateyama, J. Williams, N. Ohashi : “Investigating crystalline-polarity-dependent electronic structures of GaN by hard x-ray photoemission and ab-initio calculations” Appl. Phys. Lett. 107[17] (2015) 171604-1 DOI:10.1063/1.4934842
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口頭発表
  • 2014/11/30 - 2014/12/05 : T. OHSAWA, M. HASHIGUCHI, I. Sakaguchi, N. Ohashi : “Impurities and Electronic Transport Properties in Semiconducting ZnO Crystals” 2014 MRS Fall Meeting
  • 2014/07/07-10 : T. OHSAWA : “Atomic-scale investigations of epitaxial transition-metal-oxide surfaces and interfaces with scanning tunneling microscopy” University of Rennes1
  • 2013/09/22-25 : T. OHSAWA, NOJIMA Tsutomu, SHIMIZU Ryota, IWAYA Katsuya, SHIRAKI Susumu, HITOSUGI Taro : “Enhanced Electron Mobility and Magnetoresistance in LaAlO3/SrTiO3 Heterostructure via Atomic Arrangement Control of SrTiO3 Surface” WOE20 - Workshop on Oxide Electronics 2013
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外部参照
ResearcherID.COM (No.A-5373-2010)
その他
受賞歴 第33回エレクトロセラミックス研究討論会 最優秀賞 (2013); Best poster award, Workshop on Oxide Electronics 20 (2013); 応用物理学会講演奨励賞 (2002)
所属学会 応用物理学会,日本表面科学会
研究者