研究者
大井 暁彦

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プロフィール
Portrait
大井 暁彦 (オオイ アキヒコ)
物質・材料研究機構   MANA MANAファウンドリ   主任エンジニア
メール: OHI.Akihikonims.go.jp
電話: 029-860-4779
茨城県つくば市並木1-1 [交通アクセス]
併任先
外部連携部門 NIMS-トヨタ次世代自動車材料研究センター
技術開発・共用部門 窒化ガリウム評価基盤領域 光電気計測グループ 役職未定
出版物 2004年以降のNIMS所属における出版物を表示しています。
会議録
  • T. Nabatame, K. Masayuki, H. Yamada, A. Ohi, T. Ohishi, T. Chikyo : “Influence of Oxygen Transfer in Hf-based High-k Dielectrics on Flatband Voltage Shift” 7th International Conference on Si Epitaxy and Heterostructures THIN SOLID FILMS 520[8] (2012) 3387-3391 DOI:10.1016/j.tsf.2011.10.086
  • T. Nabatame, A. Ohi, T. Chikyo : “Role of oxygen transfer for high-k/SiO2/Si stack structure on Vfb shift” 219th ECS Meeting ECS TRANSACTIONS 35[4] (2011) 403-416 DOI:10.1149/1.3572296
  • T. Nabatame, A. Ohi, T. Chikyo : “Role of hetero interface of ionic/covalent oxides for Pt/high-k/SiO2/Si MOS capacitors on Vfb shift” 218th ECS Meeting ECS TRANSACTIONS 33[3] (2010) 59-66 DOI:10.1149/1.3481592
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口頭発表
  • 2012/06/17-20 : T. Nabatame, K. Masayuki, H. Yamada, A. Ohi, T. Ohishi, T. Chikyo : “Electrical properties of Al2O3 TiO2 and AlTiOx films grown by PE-ALD process for high-k CMOS” 12th International Conference on Atomic Layer Deposition
  • 2012/05/08-11 : K. Masayuki, T. Nabatame, H. Yamada, A. Ohi, T. Chikyo, T. OHISHI : “Role of Al atoms in (TaC)1-xAlx on Vfb shift for HfO2 MOS capacitor” The Eighth International Nanotechnology Conference on Communicat
  • 2012/05/08-11 : 山田博之, 生田目俊秀, 木村将之, 大井暁彦, 大石知司, 知京豊裕 : “酸化還元熱処理がITO/HfO2 MOSキャパシタのフラットバンド電圧に及ぼす影響” The Eighth International Nanotechnology Conference on Communicat
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外部参照
ResearcherID.COM (No.B-9546-2013)
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