| プロフィール
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大橋 直樹 （オオハシ ナオキ）
物質・材料研究機構 環境・エネルギー材料部門 部門長
メール: OHASHI.Naoki nims.go.jp
電話: 029-860-4867
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| 所属 |
併任先(1) |
環境・エネルギー材料部門 光・電子材料ユニット ユニット長 |
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| 併任先(2) |
環境・エネルギー材料部門 光・電子材料ユニット 光・電子機能グループ グループリーダー
外部連携部門 NIMS-サンゴバン先端材料研究センター 研究員 |
| 研究分野 |
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| キーワード |
Defects, Interface, Polarity, and Charge Compensation |
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研究者紹介冊子版
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| 出版物
2004年以降のNIMS所属における出版物を表示しています。 |
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| 研究論文 |
- N OHASHI, Y WANG, T ISHIGAKI, Y WADA, H TAGUCHI, I SAKAGUCHI, T OHGAKI, Y ADACHI and H HANEDA : “Lowered stimulated emission threshold of zinc oxide by hydrogen doping with pulsed argon–hydrogen plasma” J. Cryst. Growth 306[2] (2007) 316-320 DOI:10.1016/j.jcrysgro.2007.05.024
- T. Ohsawa, I. Sakaguchi, N. Ohashi, H. Haneda, H. Ryoken, K. Matsumoto, S. Hishita, Y. Adachi, S. Ueda, H. Yoshikawa and K. Kobayashi : “Formation of compensated defects in zinc magnesium oxides assignable from diffusion coefficients and hard x-ray photoemission” Appl. Phys. Lett. 94[4] (2009) 042104-1 DOI:10.1063/1.3075578
- J. Kobayashi, H. Sekiwa, M. Miyamoto, I. Sakaguchi, Y. Wada, T. Sekiguchi, Y. Adachi, H. Haneda and N. Ohashi : “Growth of Bulky Single Crystalline Films of (Zn Mg)O Alloy Semiconductors by Liquid Phase Epitaxy” Cryst. Growth Des. 9[2] (2009) 1219-1224 DOI:10.1021/cg801211m
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| 書籍 |
- T. Kamiya, N. Ohashi, J. Tanaka : “Hartree-Fock-Slater Method for Materials Science” Springer Series in Materials Science (2005)
- 石垣隆正, 大橋直樹 : “反応性熱プラズマプロセスによるセラミックス材料の創製” 反応場制御による新しい材料プロセッシング (2004)
- 泉富士夫, 大橋直樹 : “結晶の世界への応用 (III) 粉末回折データを用いた構造の精密化” CD-ROM セラミストのためのパソコン講座 (2002)
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| 会議録 |
- T. Nakagawa, I. Sakaguchi, K. Matsumoto, M. Uematsu, H. Haneda, N. Ohashi : “Observation of Diffusion Behavior in Al-implanted ZnO Single Crystal” AMEC-6 KEY ENGINEERING MATERIALS 421-422[1] (2010) 197-200
- MORITO Kentaro, SUZUKIToshimasa, MIZUNOYoichi, I. Sakaguchi, N. Ohashi, K. Matsumoto, H. Haneda : “Behavior of hydrogen atoms in perovskite type oxide thin films under electric fields” 6th Asian Meeting on Electroceramics KEY ENGINEERING MATERIALS 421-422 (2010) 281-284
- Y. Yao, T. Oogaki, K. Matsumoto, I. Sakaguchi, Y. Wada, H. Haneda, T. Sekiguchi, N. Ohashi : “Growth and characterization of isotopic natGa15N by molecular-beam epitaxy” International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2008) PHYSICA STATUS SOLIDI C-CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS 6[S2] (2009) S707-S710
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| 口頭発表 |
- 2009/09/16-18 : 大橋直樹, 李建永, 上田茂典, 吉川英樹, 山下良之, 小林啓介, 大串秀世, 羽田肇 : “白金/チタン酸ストロンチウム界面の電子状態の光電子分光による検討” 第22回秋期シンポジウム
- 2009/03/30 - 2009/04/02 : 大橋直樹, 坂口勲, 安達裕, 松本研司, 上田茂典, 吉川英樹, 小林啓介, 羽田肇 : “ドーピングした酸化亜鉛の電荷補償と表面バンド構造” 2009年春季 第56回応用物理学関係連合講演会
- 2008/10/22-24 : N. Ohashi : “Structure of Polar Crystals in Terms of Crystal Growth and Functions” 6th Asian Meeting on Electroceramics
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| 特許 |
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| 外部参照 |
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