研究者
大垣 武

プロフィール
Portrait
大垣 武 (オオガキ タケシ)
物質・材料研究機構   機能性材料研究拠点 電気・電子分野 電子セラミックスグループ   主任研究員
メール: OGAKI.Takeshinims.go.jp
電話: 029-860-4629
茨城県つくば市並木1-1 [交通アクセス]
研究者紹介冊子版
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併任先
外部連携部門 NIMS-サンゴバン先端材料研究センター
安全・基盤施設部門 マテリアルズオープンイノベーション拠点棟等建設室 主任研究員
研究分野
キーワード ウルツ鉱型半導体、MBE、界面
出版物 2004年以降のNIMS所属における出版物を表示しています。
研究論文
  • N. Ohashi, K. Kataoka, T. Ohgaki, I. Sakaguchi and H. Haneda : “Synthesis and Characterization of ZnO/Glass/ZnO Structures Showing Highly Nonlinear Current-Voltage Characteristics” Mater. Trans. JIM 50[5] (2009) 1060-1066 DOI:10.2320/matertrans.MC200812
  • Y. Yao, T. Sekiguchi, T. Ohgaki, Y. Adachi, N. Ohashi, H. Okuno and M. Takeguchi : “Periodic supply of indium as surfactant for N-polar InN growth by plasma-assisted molecular-beam epitaxy” Appl. Phys. Lett. 95[4] (2009) 041913-1 DOI:10.1063/1.3189262
  • Y. Yao, T. Sekiguchi, N. Ohashi, Y. Adachi and T. Ohgaki : “Photoluminescence and x-ray diffraction measurements of InN epifilms grown with varying In∕N ratio by plasma-assisted molecular-beam epitaxy” Appl. Phys. Lett. 92[21] (2008) 211910-1 DOI:10.1063/1.2937833
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会議録
  • Y. Yao, T. Oogaki, K. Matsumoto, I. Sakaguchi, Y. Wada, H. Haneda, T. Sekiguchi, N. Ohashi : “Growth and characterization of isotopic natGa15N by molecular-beam epitaxy” International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2008) PHYSICA STATUS SOLIDI C-CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS 6[S2] (2009) S707-S710
  • L. Jianyong, T. Oogaki, R. Matsuoka, H. Okushi, N. Ohashi : “Electrical properties of Pt/Nb-doped SrTiO3 Schottky Junctions” 6th Asian Meeting on Electroceramics KEY ENGINEERING MATERIALS 421-422 (2009) 463-466
  • Y. Yao, T. Oogaki, K. Matsumoto, I. Sakaguchi, Y. Wada, H. Haneda, T. Sekiguchi, N. Ohashi : “Growth and characterization of isotopic natGa15N by molecular-beam epitaxy” Photonics West 2009 Proceedings of SPIE 7216[1] (2009) 72162D-1
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口頭発表
  • 2010/03/22-24 : 大垣武, 安達裕, 坂口勲, 大橋直樹, 羽田肇 : “MBE法による窒化スカンジウム薄膜の作製” 日本セラミックス協会 2010年年会
  • 2009/12/13-17 : H. Haneda, I. Sakaguchi, T. Oogaki, K. Matsumoto, Y. Adachi, N. Ohashi : “Defect structure and related characteristics of wurtzite compounds” International Conference on Electroceramics 2009
  • 2009/11/24-26 : T. Oogaki, Y. Yao, K. Matsumoto, I. Sakaguchi, N. Ohashi, H. Haneda : “Molecular beam epitaxy growth of Al14N/Al15N isotope superlattices” 第26回日韓国際セラミックスセミナー
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特許
  • 特許第3855051号 “n型伝導性酸化亜鉛上への低接触抵抗電極の形成法” (2006)
  • 特許第3718702号 “酸化亜鉛抵抗体及びその製造法” (2005)
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外部参照
ResearcherID.COM (No.H-2660-2011)
研究者