研究者
石井 真史

ホーム > NIMSについて > 研究者 > 石井 真史
プロフィール
Last Update : 2016/04/02
Portrait
石井 真史 (イシイ マサシ)
物質・材料研究機構   先端材料解析研究拠点 原子構造物性分野 表界面物理計測グループ   主幹研究員
メール: ISHII.Masashinims.go.jp
電話: 029-860-4576
茨城県つくば市千現1-2-1 [交通アクセス]
研究者紹介冊子版
printImage
併任先
情報統合型物質・材料研究拠点 拠点マネージャー
出版物 2004年以降のNIMS所属における出版物を表示しています。
研究論文
  • 石井真史 : “「光らなかった」過程を測る” OYO BUTURI 85[3] (2016) 223-227
  • I. Masashi, A. Koizumi, Y. Fujiwara : “Three-dimensional spectrum mapping of bright emission centers: investigating the brightness-limiting process in Eu-doped GaN red light emitting diodes” Appl. Phys. Lett. 107[8] (2015) 082106-1 DOI:10.1063/1.4929531
  • I. Masashi, A. Koizumi, Y. Fujiwara : “Nanoscale determinant to brighten up GaN:Eu red LED: Local potential of Eu-defect complexes” J. Appl. Phys. 117[15] (2015) 155307-1 DOI:10.1063/1.4918662
全情報を表示...
会議録
  • I. Masashi, N. Ikeda, D. Tsuya, K. Sakurai : “Y2O3 Thin Film Deposited by Two-step Process and Its Resistance to Halogen Plasma” 2008 E-MRS Fall meeting Proceedings of 2008 E-MRS Symposium I (2009) 205-212
  • Matsushita, Etsuo Arakawa, Yasuhiro Niwa, Yasuhiro Inada, Tadashi Hatano, Tetsuo Harada, Yasuo Higashi, Keiichi Hirano, K. Sakurai, I. Masashi, NOMURA Masaharu : “A simultaneous multiwavelength dispersive X-ray reflectometer for time-resolved reflectometry” SXNS-10 The European Physical Journal - Special Topics 167[1] (2009) 113-120
  • I. Masashi, Aiko Nakao, K. Sakurai : “金属/酸化膜界面への化学的なデーター書き込み:低次元界面反応のI-V測定による評価” 2007 MRS Fall Meeting Mater. Res. Soc. Symp. proc. 1056E[HH11-64] (2008)
全情報を表示...
口頭発表
  • 2009/12/08 : I. Masashi : “Photon pumped electric force microscopy of Ge quantum dots” Forthcoming PSI Workshop: Photon Probes for Nanoscience
  • 2009/11/05-06 : 石井真史, B. Towlson, E. Whittaker, S. S. Dhesi, B. Hamilton : “極微構造の元素イメージングのための二光子照射による内殻励起光イオン化制御” 第45回X線分析討論会
  • 2009/09/08-11 : 石井真史, Sarnjeet S. Dhesi, Bruce Hamilton : “静電気力プローブ顕微鏡による電荷移動の動的観測:SiGeドット閉込め正孔の光誘起移動” 2009年秋季 第70回 応用物理学会 学術講演会
全情報を表示...
特許 全情報を表示...
外部参照
ResearcherID.COM (No.H-2611-2011)
研究者