研究者
色川 芳宏

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プロフィール
Last Update : 2015/10/08
Portrait
色川 芳宏 (イロカワ ヨシヒロ)
物質・材料研究機構   機能性材料研究拠点 電気・電子分野 ワイドバンドギャップ材料グループ   主任研究員
茨城県つくば市並木1-1 [交通アクセス]
研究者紹介冊子版
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併任先
技術開発・共用部門 窒化ガリウム評価基盤領域 副領域マネージャー
技術開発・共用部門 窒化ガリウム評価基盤領域 光電気計測グループ 役職未定
出版物 2004年以降のNIMS所属における出版物を表示しています。
研究論文
  • N. Matsuki, Y. Irokawa, T. Matsui, M. Kondo and M. Sumiya : “Photovoltaic Action in Polyaniline/n-GaN Schottky Diodes” APEX 2[9] (2009) 092201-1 DOI:10.1143/APEX.2.092201
  • Y. Irokawa, N. Matsuki, M. Sumiya, Y. Sakuma, T. Sekiguchi, T. Chikyo, Sumida Yasunobu, Yoshitaka Nakano : “Low-frequency capacitance-voltage study of hydrogen interaction with Pt-AlGaN/GaN Schottky barrier diodes” Phys. Status Solidi-Rapid Res. Lett. 3[7-8] (2009) 266-268
  • Y. Nakano, Y. Irokawa and M. Takeguchi : “Deep-Level Optical Spectroscopy Investigation of Band Gap States in AlGaN/GaN Hetero-Interfaces” APEX 1[9] (2008) 091101-1 DOI:10.1143/APEX.1.091101
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書籍
  • 色川芳宏, T. Morikawa, K. Aoki, S. Kosaka, T. Ohwaki, Y. Taga : “光化学反応解析と中間生成物について” 会報 光触媒 (2006)
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会議録
  • Y. Irokawa, N. Matsuki, M. Sumiya, Y. Sakuma, T. Sekiguchi, T. Chikyo, S. Yasunobu, Y. Nakano : “Anomalous Capacitance-Voltage Characteristics of Pt-AlGaN/GaN Schottky diodes exposed to hydrogen” The 8th International Conference on Nitride Semiconductors PHYSICA STATUS SOLIDI C-CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS 7[7-8] (2010) 1928-1930
  • Y. Nakano, N. Matsuki, Y. Irokawa, M. Sumiya : “Electrical characterization of n-GaN epilayers using transparent polyanil Schottky contacts” 8th International Conference on Nitride Semiconductors PHYSICA STATUS SOLIDI C-CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS 7[7-8] (2010) 2007-2009
  • M. Takeguchi, H. Okuno, K. Mitsuishi, Y. Irokawa, Y. Sakuma, K. Furuya : “Electron Holography Observation of AlInGaN/GaN Heterointerfaces” The 9th Asia-Pacific Conference on Electron Microscopy Proceedings of The 9th Asia-Pacific Conference on Electron Microscopy (2009) 255-256
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口頭発表
  • 2009/10/18-23 : Y. Nakano, K. Nakamura, Y. Irokawa, M. Takeguchi : “Interface States in AlGaN/GaN Hetero-Structure Probed by Deep-Level Optical Spectroscopy” 8th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-8)
  • 2009/10/07-09 : N. Matsuki, Y. Nakano, Y. Irokawa, M. Sumiya : “Electrical Interface Structure of Schottky Junctions by π-conjugated Polymer/III-nitride Hetero Structure” SSDM 2009
  • 2009/09/13-17 : Y. Nakano, K. Nakamura, Y. Irokawa, M. Takeguchi : “Band Gap States in AlGaN/GaN Hetero-Interface Studied by Deep-Level Optical Spectroscopy” 13th International Conference on Defects - Recognition Imaging
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特許
  • No. KR2011136853A “The schottky type junction device, the photoelectric conversion element using the same and solar cell.” (2011)
  • No. WO2010110475A1 “SHOT KEY-TYPE JUNCTION ELEMENT AND PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT AND SOLAR CELL USING THE SAME” (2010)
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外部参照
ResearcherID.COM (No.H-2898-2011)
研究者