| プロフィール
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安達 裕 （アダチ ユタカ）
物質・材料研究機構 環境・エネルギー材料部門 光・電子材料ユニット 光・電子機能グループ 主任研究員
メール: ADACHI.Yutaka nims.go.jp
電話: 029-860-4438
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| 所属 |
併任先(1) |
企画部門-企画調整室 運営主任 |
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| 併任先(2) |
外部連携部門 NIMS-サンゴバン先端材料研究センター 研究員 |
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| ホームページ |
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| 研究分野 |
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| キーワード |
酸化亜鉛、圧電体、強誘電体 |
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研究者紹介冊子版
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| 出版物
2004年以降のNIMS所属における出版物を表示しています。 |
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| 研究論文 |
- K. Matsumoto, Y. Adachi, I. Sakaguchi, N. Ohashi, H. Haneda : “Preparation and characterization of Zn18O/Zn16O isotope heterostructure thin films” J. European Ceram. Soc. 30[2] (2010) 423-428 DOI:10.1016/j.jeurceramsoc.2009.06.023
- T. Osawa, Y. Adachi, I. Sakaguchi, K. Matsumoto, H. Haneda, S. Ueda, H. Yoshikawa, K. Kobayashi, N. Ohashi : “Electronic states in zinc magnesium oxide alloy semiconductors: Hard x-ray photoemission spectroscopy and density functional Theory Calculations” Chem. Mat. 21[1] (2009) 144-150
- J. Kobayashi, H. Sekiwa, M. Miyamoto, I. Sakaguchi, Y. Wada, T. Sekiguchi, Y. Adachi, H. Haneda and N. Ohashi : “Growth of Bulky Single Crystalline Films of (Zn Mg)O Alloy Semiconductors by Liquid Phase Epitaxy” Cryst. Growth Des. 9[2] (2009) 1219-1224 DOI:10.1021/cg801211m
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| 会議録 |
- Y. Adachi, N. Ohashi, I. Sakaguchi, T. Osawa, H. Ryoken, H. Yoshikawa, S. Ueda, K. Kobayashi, H. Haneda : “(MgZn)/ZnO heterostructures prepared by pulsed laser deposition” 第27回エレクトロセラミックス研究討論会 KEY ENGINEERING MATERIALS 388[1] (2008) 3-6
- I. Sakaguchi, Y. Adachi, T. Oogaki, K. Matsumoto, S. Hishita, H. Haneda, N. Ohashi : “Impurity contamination and diffusion during the annealing in the implanted ZnO” 第27回エレクトロセラミックス研究討論会 KEY ENGINEERING MATERIALS 388[1] (2008) 23-26
- Y. Adachi, S. Hishita, N. Ohashi, H. Haneda : “GROWTH OF KNbO3 FILMS BY SOLID STATE DIFFUSION TECHNIQUE” The 5th Asian Meeting on Ferroelectrics Ferroelectrics 357 (2007) 185-190
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| 口頭発表 |
- 2010/03/22-24 : 大垣武, 安達裕, 坂口勲, 大橋直樹, 羽田肇 : “MBE法による窒化スカンジウム薄膜の作製” 日本セラミックス協会 2010年年会
- 2010/03/17-20 : 安達裕, 大橋直樹, 坂口勲, 羽田肇, 大西剛, 上田茂典, 吉川英樹, 小林啓介 : “不純物添加がZnO薄膜の極性に及ぼす影響” 2010年春季第57回応用物理学会関係連合講演会
- 2009/12/13-17 : H. Haneda, I. Sakaguchi, T. Oogaki, K. Matsumoto, Y. Adachi, N. Ohashi : “Defect structure and related characteristics of wurtzite compounds” International Conference on Electroceramics 2009
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| 特許 |
- 特許4210748号 “酸化亜鉛基積層構造体” (2008)
- 特許3849012号 “酸化亜鉛薄膜の低圧低温気相合成方法” (2006)
- 特許3721395号 “酸化亜鉛基層状化合物を内包した構造を持つ酸化亜鉛材料” (2005)
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| 外部参照 |
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NIMS eSciDoc Researcher Portofolio
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Google Scholar
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